跟着全球动力结构向清洁化 、国民光储 。双芯智能 。驱动全高化转型
，充智光伏+储能+充电（光储充）
。操能动一体化解决计划成为职业热门
。控安在这一范畴中 ，效赋微操控器。国民光储（
。双芯MCU
。驱动全高）和
。充智电池办理。操能动体系（BMS）芯片作为中心操控单元 ，控安别离承当体系智能化办理和电池安全高效运转的效赋要害使命 。国民技能MCU与BMS芯片产品凭仗其高功用 、国民光储低功耗和高检测精度等优势
，正推进光储充体系向更高效 、更牢靠的方向开展 。
6月12日 ，在全球光储交融前沿技能大会上 ，国民技能商场总监刘亚明与职业专家 、用户代表打开深化沟通 ，要点讨论N32系列MCU及 NB系列 BMS
。 AFE 。产品在光储充范畴的使用优势 。会议聚集怎么经过高运算功用和高检测精度的
。芯片技能 。提高动力办理功率 、优化体系运转功用 ，并打造更安全牢靠的用户体会 。
N32 MCU ：光储充体系的“才智大脑” 。
国民技能N32 MCU产品宗族已构成完好的32位微操控器产品矩阵 ，包含38个产品系列 、近300款类型 ，全面掩盖Cortex-M0/M4/M7内核架构 ，主频规模48 MHz至600 MHz，在业界具有先进的工艺制程 、立异性的双核异构构架以及广泛的全栈产品掩盖等优势 。
刘亚明在本次讲演中具体解析了国民技能MCU产品在光储充范畴的技能优势 ： 01高效动力办理，提高体系安稳性 。 在光储充体系中 ，动力的高效转化与办理至关重要 。MCU经过精准的。算法 。操控，完成光伏MPPT（最大功率点盯梢）优化、电池储能智能办理（BMS）和 。充电桩 。动态功率分配 。N32 MCU高算力（最高主频600 MHz，功用达1284 DMIPS）、 。高精度 。（100 ps超高分辨率PWM输出）和实时呼应才能（支撑Flash加快单元完成零等候履行程序）
，保证动力活动更高效 ，体系运转更安稳
。
02低功耗规划
，延伸设备续航 。 光储充体系一般需求7×24小时运转 ，MCU的低功耗特性可大幅下降待机功耗 ，能够协助光储充体系削减动力糟蹋
，提高整体能效 。 N32 MCU在低功耗规划方面支撑 ： — 休眠形式唤醒 ：N32 MCU支撑RUN 、SLEEP 、Stop0 、Stop2 、Standby 、VBAT等作业形式 ，根据作业场景切换作业形式，削减无效能耗 。 — 动态电压调理 ：可根据负载状况调整MCU运转频率和电压
，优化能耗比 。
03高集成度 ，体系规划更灵敏 。 N32 MCU最大集成了高达4MB Flash存储空间，1.5MB的S 。RAM 。空间，便于运转各种高效的动力计量与办理算法，除此之外集成了丰厚的外设资源，如 。ADC 。 、。DAC。 、CMP等。模仿。外设 ，内部集成多个
。UART 。 、
。USB 。 、 。CAN。/CAN FD和 。Ethernet 。等 。通讯接口 。 ，让体系规划更灵敏 。
04实时呼应与安全维护 。 光储充体系对安全性和实时性要求极高 ，MCU的实时性与安全性保证了光储充体系的牢靠性与智能化。 N32 MCU供给
： — 硬件级维护机制 ：多种芯片内硬件级维护机制 、。时钟 。失效监测等毛病的快速检测与关断机制 。 — 数据加密与安全发动 ：防止 。黑客。进犯 ，保证用户数据和设备安全
。
NB BMS+N32 MCU芯片协同助力安全高效
。
国民技能为光储充商场供给完好的芯片级解决计划
，经过MCU+BMS芯片协同立异 ，构建安全高效的动力办理体系 。 产品矩阵与技能优势 ： BMS AFE芯片NB1802 ：高精度电池监测前端
。 — 支撑6-18串电芯监控。 — ±1.5 mV电压检测精度（-20 ℃~60 ℃）
。 — 350 mA大电流被迫均衡 ，最长90小时离线均衡 。 — 1.5 Mbps菊花链 。通讯
。
，支撑62颗级联 。 — 10路GPIO或模仿输入,支撑灵敏装备Busbar丈量通道 。 NBT02
：专用桥接芯片
，支撑 。环形
。拓扑通讯。 NB1802与NBT02芯片将于年末发布 。
广泛的光储充使用事例 。
大会同期的2025 SNEC世界光伏储能展 ，国民技能带来了包含关断器、 。逆变器。
、集中式架构储能计划 、 。数字电源 。 、沟通充电桩以及60KW直流充电桩等光储充用户事例与计划 。
光伏关断器使用。
主控芯片 ：N32H474 。 优势
： — 高功用
：ARM 。Cortex-M4F200 MHz ，功用达250 DMIPS ,支撑。 DSP
。指令和 MPU, 支撑Flash加快单元完成零等候程序履行 。 — 高精度 。定时器 。资源 ：1xSHR。TI 。M (125 ps) 、3xATIM(5 ns) 、10xGTIM（5 ns/5.56 ns）。 — 高功用模仿 ：4x12-bit 4.7Msps 。 AD。C
、8x12-bit DAC、4xPGA 、7xCOMP 。 — 高安全：支撑外部高速 、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制 ，支撑安全发动
，支撑多种硬件加密算法
。 使用特色 ： 主控芯片实时收集电压、 。电流。及温度数据，经过磁 。耦合器。模块（。RS
。M）根据SunSpec协议传输至快速关断器（RSD），触发光伏组件 。电气。解耦 ，保证30秒内电压降至安全规模 。
逆变器使用 。
主控芯片
：1xN32H765+ 2xN32H473。 优势
： N32H765 。 —高功用：ARM Cortex-M7600 MHz ，功用达1284DMIPS ，双精度浮点运算单元 ，支撑DSP指令和MPU ，支撑Flash加快单元完成零等候程序履行 。 — 高精度定时器资源：2x16-bit SHRTIM (100 ps)、4x16-bit ATIM(3.3 ns) 、10x16-bit GTIM 、4x32-bit BTIM 、5x16-bit LPTIM 。 — 高功用模仿外设
：3x12-bit 5 Msps ADC（支撑16-bit硬件过采样
，支撑单端和差分形式）
、6x12-bit DAC
、 4xCOMP
。 — 丰厚的数字
。接口。 ：15xU(S)ART、8xCAN FD
。 — 高安全 ：支撑外部高速 、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制 ，支撑安全发动 ，支撑多种硬件加密算法 。
N32H473。 — 高功用 ：ARM Cortex-M4F200 MHz ，功用达250 DMIPS,支撑 DSP 指令和 MPU, 支撑Flash加快单元完成零等候程序履行 。 — 丰厚的定时器资源 ： 3x16-bit ATIM(5 ns) 、10x16-bit GTIM 、2x32-bit BTIM
、2x16-bit LPTIM。 — 高功用模仿外设
：4x12-bit 4.7 Msps ADC 、8x12-bit DAC 、4xPGA 、7xCOMP 。 — 丰厚的数字接口 ：8xU(S)ART(其间三个UART支撑恣意I/O映射), 2xCAN FD（恣意I/O映射） 。 — 高安全：支撑外部高速、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制 ，支撑安全发动 ，支撑多种硬件加密算法。 使用特色 ： 主控MCU完成中心操控功用
，包含
： — MPPT（最大功率点盯梢）
。 ● 支撑4路MPPT，独立优化 ，适配不同朝向/倾角/暗影遮挡的光伏组串，提高发电功率
。 ● 21A大电流输入 ，兼容182/210大尺度高效组件 ，支撑1.1倍直流超配
，最大化使用组件功率 。 —
。 DC。/。AC 。转化操控
。 ● 选用高效 。IGBT。/SiC MOS拓扑，转化功率高达98.6% ，下降能量损耗；支撑宽电压输入规模（200 V~1000V DC） ，习惯不同光照条件下的组件输出 。
集中式架构储能计划。
芯片类型 ： MCU ：N32H47x/N32G45x
。 BMS AFE：NB1802。 菊花阻隔链通讯芯片 ：NBT02 。 计划特色： — 安稳检测电池包电压和温度
。 — 电压精度±1.5 mV(常温)，±3 mV(-40 ℃~125 ℃)；温度精度0.5 ℃~1 ℃
。 — 高牢靠性菊花链（环状）通讯
，支撑正向/反向唤醒 。 — 支撑BusBar电压收集（-1 V ~5 V） ，通道灵敏可配
。 — 低功耗 。 Active: 10 mA ， Shutdown: 15 uA 。
数字电源计划。
主控芯片 ：N32H474。 优势 ： — 高功用
：ARM Cortex-M4F200 MHz ，功用达250 DMIPS ,支撑 DSP 指令和 MPU, 支撑Flash加快单元完成零等候程序履行 。 — 高精度定时器 ：支撑12通道125ps超高分辨率相位可调的PWM输出
。 — 高集成度外设：4x12-bit 4.7 Msps ADC、8x12-bit DAC
、4xPGA 、7xCOMP 、3xCAN FD
。 — 高安全 ：支撑外部高速
、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制 ，支撑安全发动 ，支撑多种硬件加密算法 。 使用特色 ： 单芯片完成500-5000W的多相
。FPC。+LLC数字电源操控。
沟通充电桩使用 。
主控芯片：N32G457 。 优势 ： — 最优效能本钱比
：ARM Cortex-M4F144MHz ，功用达180DMIPS
，支撑Flash加快单元完成零等候程序履行。 — 高集成度
：7xU(S)ART
、3xSPI（2个支撑I2S）
、4xI2C,1xUSB2.0 、2xCAN2.0 。 — 高安全 ：支撑外部高速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制 ，支撑安全发动 ，支撑多种硬件加密算法。 使用特色： N32G457作为整机 。操控器 。，完成充电枪状况检测 、功率操控 、充电模块温度监测 、电量计量 、语音播报
，并经过 。4G。或 。以太网。将数据上传至服务器。
直流充电桩使用。
主控芯片: N32H474
。 优势： — 高功用：ARM Cortex-M4F200 MHz，功用达250 DMIPS ,支撑 DSP 指令和 MPU, 支撑Flash加快单元完成零等候程序履行 。 — 高精度定时器资源：支撑12通道125 ps超高分辨率相位可调的PWM输出 。 — 高集成度外设
：4x12-bit 4.7 Msps ADC、8x12-bit DAC
、4xPGA 、7xCOMP 、3xCAN FD 。 等通讯接口
。 — 高安全：支撑外部高速、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制 ，支撑安全发动，支撑多种硬件加密算法
。 使用特色 ：
— 操控充电启停 、预充电（防止电流冲击）
、恒流（CC）/恒压（CV）形式切换 ，保证契合国标 。 — 实时高精度调整PWM占空比 ，准确操控输出电压（200V-1000V）和电流（0-400A） 。 — 经过 CAN总线与车辆BMS交互，获取电池SOC 、温度 、最大答应充电电流等参数，动态调整充电战略 。 — 具有过欠压维护、过流维护 、绝缘监测 、温度维护和急停等功用
。
附录：光储充使用MCU引荐类型主要参数比照
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